Samsung, çip üretiminde yeni bir devrim yapmaya hazırlanıyor. Şirket, 2nm sürecinde arka taraftan güç dağıtımı kullanacak. Bu sayede çipler daha küçük, daha hızlı ve daha verimli olacak.
Samsung, çip üretiminde liderliğini korumak için yeni bir teknoloji geliştirdi. Şirket, 2nm sürecinde arka taraftan güç dağıtım ağını (BSPDN) kullanacak. Bu teknoloji, çiplerin güç dağıtımını daha etkin bir şekilde yapmasını sağlayacak. Böylece çipler daha küçük boyutlara, daha yüksek performansa ve daha düşük güç tüketimine ulaşacak.
Samsung, 3nm sürecinde de gate-all-around (GAA) transistörleri kullanan ilk şirket oldu. Ancak bu süreçte klasik güç dağıtım teknolojisini tercih etti. Şimdi ise 2nm sürecinde arka taraftan güç dağıtımına geçiş yapacak. Bu, Samsung’un çip üretiminde yeni bir standart belirleyeceği anlamına geliyor.
Samsung, rakiplerine karşı avantaj sağlayacak
Samsung’un bu hamlesi, rakipleri Intel ve TSMC’ye karşı büyük bir avantaj sağlayacak. Zira Samsung, 2025 yılında 2nm sürecine geçmeyi planlıyor. Oysa Intel, 20A ve 18A süreçlerini 2025 ve 2026’da uygulamayı hedefliyor. TSMC ise 2nm sürecini 2026-2027 yıllarında hayata geçirmeyi düşünüyor.
Samsung, arka taraftan güç dağıtımının faydalarını test etti. Şirket, 2023 yılında VLSI Sempozyumunda iki Arm tabanlı test çipi sundu. Bu çipler, arka taraftan güç dağıtımı sayesinde zar alanında %10 ve %19 oranında küçüldü. Ayrıca kablo uzunluğunda %9,2 azalma ile performans artışı sağladı.
Samsung, 2nm sürecinde arka taraftan güç dağıtımı kullanarak, gelecek nesil işlemcilerinde de önemli gelişmeler sunacak. Bu işlemciler, daha yüksek hız, daha düşük ısı ve daha uzun pil ömrü sunacak. Samsung, böylece çip üretiminde yeni bir çağ açacak.
